[发明专利]HEMT半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201410093863.8 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104051516A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | A·巴纳尔吉;P·莫恩斯 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种HEMT半导体器件，该HEMT半导体器件可以包括包含氮化硅膜和AlN膜的电介质层。在实施例中，HEMT半导体器件可以包括GaN膜和AlGaN膜。在形成HEMT器件的方法中，AlN能够在为栅极电极形成开口时提供止蚀。 | ||
| 搜索关键词： | hemt 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管HEMT半导体器件，包括：具有主表面的基板；覆盖于所述基板的所述主表面之上的GaN膜；以及覆盖于所述GaN膜之上的电介质层，其中所述电介质层包括覆盖于所述GaN膜之上的第一氮化硅膜，以及在所述第一氮化硅膜上的AlN膜。
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