[发明专利]一种硅衬底和将半导体器件与该硅衬底剥离的方法

摘要

本发明涉及一种具有特殊结构的硅衬底，其特征在于，在硅本体材料表面以下数微米深度处设置一层腐蚀阻挡层，当接触硅腐蚀液时，该腐蚀阻挡层的腐蚀速度比硅本体材料小。本发明还涉及将生长在上述硅衬底上的半导体器件与该硅衬底进行剥离的方法，采用这种剥离方法可以将成膜过程中由于热膨胀系数不同所产生的残余应力在整个硅衬底平面范围内均匀地释放，减少因应力释放不均匀造成半导体器件的开裂，有效而简单地将硅衬底与半导体器件进行剥离，提高了半导体器件的合格率。

主权项

一种将生长在硅衬底上的半导体器件与该硅衬底进行剥离的方法，包括以下步骤：1)使用硅衬底作为衬底材料，在该硅衬底的第一面上外延生长半导体器件；其中在该硅衬底的硅本体材料表面以下数微米深度处设置一层腐蚀阻挡层，当接触硅腐蚀液时，该腐蚀阻挡层的腐蚀速度比该硅本体材料小；其中以距离所述腐蚀阻挡层近的硅衬底表面为该硅衬底的第一面；2)用光刻胶涂覆该硅衬底的与该第一面相对的第二面上，并通过掩膜光刻法在该第二面上制造局部腐蚀的图形窗口；3)将该硅衬底浸入第一硅腐蚀液中，从上述图形窗口处开始腐蚀硅本体材料，直至腐蚀到所述腐蚀阻挡层；其中所述第一硅腐蚀液能腐蚀硅本体材料但基本不腐蚀所述腐蚀阻挡层；4)去除所述第二面上的光刻胶，并在该第一硅腐蚀液中进一步腐蚀硅本体材料，直到腐蚀到所述腐蚀阻挡层为止；5)使用第二硅腐蚀液，腐蚀掉所述腐蚀阻挡层，并将剩余的硅本体材料也腐蚀掉，完成硅衬底的剥离；其中所述第二硅腐蚀液能够腐蚀所述腐蚀阻挡层。