[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201410094261.4 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104053105B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | C.阿伦斯;S.巴尔岑;A.德赫;W.弗里萨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 申屠伟进;徐红燕<国际申请>=<国际公布 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其形成方法。根据本发明的实施例，形成半导体器件的方法包括在具有第一表面和相对的第二表面的工件的第一表面上形成牺牲层。薄膜形成在牺牲层上。通孔从第二表面蚀刻穿过工件以露出牺牲层的表面。牺牲层的至少一部分从第二表面移除以形成薄膜下的空腔。空腔与薄膜对齐。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：/n通过局部氧化工艺在工件的第一表面上和在工件的第一表面中形成图案化牺牲层，该工件具有第一表面和相对的第二表面，所述图案化牺牲层延伸到所述工件中并包括多个分离的区域；/n通过另一个局部氧化工艺在所述工件的所述第一表面上形成所述图案化牺牲层的所述多个分离的区域之间的另外的氧化物层；/n在所述图案化牺牲层和所述另外的氧化物层上形成薄膜；/n从第二表面形成穿过工件的通孔以暴露所述图案化牺牲层和所述另外的氧化物层的表面；以及/n从第二表面移除所述图案化牺牲层的至少一部分和所述另外的氧化物层以形成薄膜之下的空腔，其中空腔与薄膜对齐。/n
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