[发明专利]光学传感器

摘要

集成电路设备包括活性半导体衬底，其包括光电二极管的阵列。集成电路设备还包括介电层，其设置成相邻于活性半导体衬底，且紧邻光电二极管的阵列。介电层具有与活性半导体衬底相邻的第一侧和与活性半导体衬底相对的第二侧。介电层包括至少基本不透明的材料层。该至少基本不透明的材料层界定配置成允许入射在介电层的第二侧上的电磁辐射到达光电二极管的阵列的孔。

主权项

1.一种集成电路设备，包括：活性半导体衬底，其包括光电二极管的阵列；介电层，其设置成与所述活性半导体衬底相邻，且紧邻所述光电二极管的阵列，所述介电层具有与所述活性半导体衬底相邻的第一侧和与所述活性半导体衬底相对的第二侧，所述介电层包括至少不透明的材料层，所述至少不透明的材料层界定出孔，所述孔配置成允许入射在所述介电层的所述第二侧上的电磁辐射到达所述光电二极管的阵列；以及设置在所述介电层的所述第二侧上的前端环氧树脂，所述前端环氧树脂的折射率大于外部环境的折射率，其中所述孔的尺寸被设置成使得产生在物点和像点之间的一对一对应。