[发明专利]形成高电子迁移率半导体器件的方法及其结构

摘要

在一个实施例中，形成半导体器件的方法可以包括：在半导体衬底上形成HEM器件。半导体衬底为半导体器件提供载流电极并且一个或者多个内部导体结构在半导体衬底与HEM的区域之间提供垂直电流路径。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，包括：提供第一半导体材料的基础衬底，其中所述基础衬底限定所述半导体器件的第一载流电极；在所述基础衬底上方形成III族氮化物沟道层；在所述沟道层上方形成III族氮化物阻挡层，其中在所述III族氮化物沟道层和所述III族氮化物阻挡层之间的界面处形成二维电子气2DEG层；在所述阻挡层中形成所述半导体器件的第二载流电极；形成覆盖所述阻挡层的一部分并且与所述第二载流电极间隔开的所述半导体器件的栅极；以及形成第一内部导体结构，所述第一内部导体结构包括从所述阻挡层穿过所述沟道延伸至所述基础衬底的沟槽，并且进一步包括位于所述阻挡层内的第一导体、从所述第一导体延伸到所述基础衬底的第二导体以及位于所述第二导体和所述沟道层之间的绝缘体，其中所述第一内部导体结构形成从所述基础衬底到所述阻挡层的低电阻垂直电流路径，并且其中所述绝缘体在所述沟槽的上表面下方凹进直到邻近或低于所述2DEG层的位置，以及其中所述第一导体沿着所述沟槽的侧壁与所述阻挡层接触。