[发明专利]包括垂直导电区域的电子设备及其形成工艺

摘要

本发明涉及包括垂直导电区域的电子设备及其形成工艺。电子设备可以包括可以在不同时间形成的不同垂直导电结构。垂直导电结构可以具有相同或不同的形状。在一种实施例中，绝缘隔离件可以用于帮助使特定的垂直导电结构与工件的另一部分电绝缘，而且绝缘隔离件不能用于使不同的垂直导电结构电绝缘。当其它电子组件的形成也可以在任意一个或者两个特定垂直导电结构当中形成时，垂直导电结构可以适合特定的电学考虑或者工艺流程。

主权项

一种电子设备，包括：掩埋的导电区域；半导体层，具有主表面和相反的表面，其中掩埋的导电区域被布置成相比于所述主表面更靠近所述相反的表面；第一垂直导电区域，与所述主表面相邻并且朝着所述掩埋的导电区域延伸通过所述半导体层，其中所述第一垂直导电区域电连接到所述掩埋的导电区域；绝缘层，布置在所述半导体层和所述第一垂直导电区域之间，位于所述半导体层中比所述主表面更靠近所述掩埋的导电区域的第一点处；以及第二垂直导电区域，与所述主表面相邻并且朝着所述掩埋的导电区域延伸通过所述半导体层，其中所述第二垂直导电区域电连接到所述掩埋的导电区域，并且其中所述半导体层和所述第二垂直导电区域之间在所述半导体层中比所述主表面更靠近所述掩埋的导电区域的第二点处没有布置绝缘层；以及第一晶体管结构和与所述第一晶体管结构隔开的第二晶体管结构，其中所述第一晶体管结构和所述第二晶体管结构经所述第一垂直导电区域、所述掩埋的导电区域和所述第二垂直导电区域彼此耦合。