[发明专利]用于改善电迁移的球下金属结构及其形成方法有效
申请号: | 201410095447.1 | 申请日: | 2014-03-14 |
公开(公告)号: | CN104051381B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | C·L·阿文;陆珉华;E·D·珀费科托;K·W·塞姆扣;T·A·瓦西克 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L21/60 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 陈新 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了用于改善电迁移的球下金属结构及其形成方法。一种互连结构包括其中具有电部件的衬底以及与用于所述衬底中的电部件的接触焊盘相接触的凸点下金属结构(UBM)叠层。该UBM叠层包括与用于所述电部件的接触焊盘直接接触的金属粘合层、与该金属粘合层直接接触的铜(Cu)种子层、与所述铜(Cu)种子层直接接触的第一镍(Ni)阻挡层、以及具有位于所述第一镍(Ni)阻挡层上的至少一个铜(Cu)导体层和至少一个第二镍(Ni)阻挡层的分层结构。焊料球可以位于第二镍(Ni)阻挡层上。 | ||
搜索关键词: | 用于 改善 迁移 金属结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种互连结构,包括:其中具有电部件的衬底;与用于所述衬底中的电部件的接触焊盘相接触的凸点下金属结构(UBM)叠层,其中所述UBM叠层包括与用于所述电部件的接触焊盘直接接触的金属粘合层、与所述金属粘合层直接接触的铜(Cu)种子层、与所述铜(Cu)种子层直接接触的第一镍(Ni)阻挡层、位于所述第一镍(Ni)阻挡层上的第一铜(Cu)导体层、以及位于所述第一铜(Cu)导体层上的第二镍(Ni)阻挡层;以及位于所述第二镍(Ni)阻挡层上的焊料球。
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