[发明专利]一种硅基CMOS图像传感器及其抑制光生载流子表面陷阱复合的方法

摘要

本发明属于微电子技术领域，具体为一种硅基CMOS图像传感器及其抑制光生载流子表面陷阱复合的方法。本发明硅基CMOS图像传感器，具有光生载流子的转移效率高、表面复合率低的特性，具体包括：光电二极管（PPD），浮动扩散区（FD），传递晶体管（TX），浅槽隔离区（STI），抗穿通注入区（APT），以及通过两次不同位置、不同能量、不同剂量的离子注入在局部自对准形成的表面陷阱抑制层，同时获得高的光生载流子转移效率和低的表面陷阱复合率。

主权项

 一种硅基CMOS图像传感器，具有光生载流子的转移效率高、表面复合率低的特性，具体包括：光电二极管（PPD），即光感测器件，用于产生光电荷；浮动扩散区（FD），用于存储光电荷；传递晶体管（TX），用于连接光感测器件和浮动扩散区，可将光感测器件产生的光电荷传递到浮动扩散区；浅槽隔离区（STI），其周围与衬底掺杂类型相同，并使得光电二极管表层重掺杂区域与衬底的电动势相同；抗穿通注入区（APT），包围浮动扩散区，其位置与光电二极管尽量远；其特征在于还包括：通过两次不同位置、不同能量、不同剂量的离子注入，在局部自对准形成的光生载流子表面陷阱抑制层，且邻近光电二极管与传递晶体管（TX）连接部分的陷阱抑制层结深较浅、剂量较低，而其余部分的陷阱抑制层结深较深、剂量较高。