[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的解决的一个问题是提高半导体装置的可靠性。具有：管芯焊盘（6）、搭载于管芯焊盘（6）的SiC芯片（1）、对管芯焊盘（6）和SiC芯片（1）进行接合的多孔质的第1烧结Ag层（16）、以及覆盖第1烧结Ag层（16）的表面并且被形成为圆角状的加强树脂部（17）。进而，具有与SiC芯片（1）的源电极（2）电连接的源极引线（9）、与栅电极（3）电连接的栅极引线、与漏电极（4）电连接的漏极引线、以及覆盖SiC芯片（1）、第1烧结Ag层（16）及管芯焊盘（6）的一部分的密封体（14），加强树脂部（17）覆盖SiC芯片（1）的侧面（1c）的一部分。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：芯片搭载部，具有芯片搭载面；宽带隙半导体芯片，经由多孔质的第1烧结Ag层而搭载在所述芯片搭载部的所述芯片搭载面上，并且具有：主面，在所述主面相反侧的背面，在所述主面与所述背面之间的侧面，在所述主面上形成的第1电极，以及在所述背面上形成的第2电极；第1树脂部，覆盖所述多孔质的第1烧结Ag层的在俯视时从所述宽带隙半导体芯片露出的表面；第1引线，与所述宽带隙半导体芯片的所述第1电极电连接；以及密封树脂体，密封所述宽带隙半导体芯片和所述第1树脂部，其中所述第2电极与所述多孔质的第1烧结Ag层接触，其中所述宽带隙半导体芯片的所述侧面的第1部分被所述多孔质的第1烧结Ag层覆盖，其中所述宽带隙半导体芯片的所述侧面的第2部分被所述第1树脂部覆盖并接触，其中所述多孔质的第1烧结Ag层具有多个空孔以及裂纹，该裂纹从所述多孔质的第1烧结Ag层的所述表面朝向所述多孔质的第1烧结Ag层的内部延伸，并且其中所述多孔质的第1烧结Ag层的所述表面被所述第1树脂部覆盖，以使得所述裂纹的内部被所述第1树脂部填充。