[发明专利]可调节晶体管器件有效
申请号: | 201410096342.8 | 申请日: | 2014-03-14 |
公开(公告)号: | CN104051462B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | W·雷吉;H·韦伯;M·特罗伊;G·诺鲍尔;M·珀尔齐尔;M·菲勒梅耶;F·希尔勒 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L29/40 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华,张宁 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种晶体管器件,包括至少一个第一类型的晶体管单元,包括漂移区域、源极区域、布置在源极区域和漂移区域之间的本体区域、漏极区域、与本体区域相邻并且通过栅极电介质与本体区域介电绝缘的栅极电极、以及与所述漂移区域相邻并且通过场电极电介质与漂移区域介电绝缘的场电极。栅极端子耦合到栅极电极,源极端子耦合到源极区域,并且控制端子被配置成接收控制信号。可变电阻器连接在场电极与栅极端子或源极端子之间。可变电阻器包括被配置成通过在控制端子处接收的控制信号进行调节的可变电阻。 | ||
搜索关键词: | 调节 晶体管 器件 | ||
【主权项】:
一种电子电路,包括:驱动电路;以及晶体管器件,包括:至少一个第一类型的晶体管单元,包括漂移区域、源极区域、布置在所述源极区域和所述漂移区域之间的本体区域、漏极区域、与所述本体区域相邻并且由栅极电介质与所述本体区域介电绝缘的栅极电极、以及与所述漂移区域相邻并且由场电极电介质与所述漂移区域介电绝缘的场电极;耦合到所述至少一个第一类型的晶体管单元的所述栅极电极的栅极端子、耦合到所述至少一个第一类型的晶体管单元的所述源极区域的源极端子、以及被配置成接收控制信号的控制端子;可变电阻器,连接在所述至少一个第一类型的晶体管单元的所述场电极与所述栅极端子和所述源极端子之一之间,其中所述可变电阻器包括被配置成通过在所述控制端子处接收的所述控制信号进行调节的可变电阻;第一开关,与所述可变电阻器串联连接,从而所述可变电阻器和所述第一开关串联连接在所述栅极端子和所述源极端子之一和所述场电极之间,其中所述第一开关被配置成基于在所述晶体管器件的所述栅极端子处接收到的驱动信号而被驱动;其中所述驱动电路耦合至所述晶体管器件的所述控制端子和所述栅极端子,并且被配置成生成控制信号以便基于所述晶体管器件的负载状况调节所述可变电阻器的可变电阻,从而所述可变电阻取决于所述负载状况。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的