[发明专利]一种合成多孔硅酸钙粉体的改性方法

摘要

本发明涉及一种合成多孔硅酸钙粉体的改性方法，属于无机粉体加工技术领域。该改性方法采用高混机将合成多孔硅酸钙粉体经过干燥、合成多孔硅酸钙粉体成核能力的减弱和抗氧性能的提高、合成多孔硅酸钙粉体表面的硅烷偶联剂改性、表面改性合成多孔硅酸钙粉体的表面自组装、表面自组装合成多孔硅酸钙粉体的润滑改性后制备成合成多孔硅酸钙改性粉体。经本发明的方法改性后，解决了合成多孔硅酸钙的高摩擦系数、高结晶成核能力、高吸附性以及低导热系数等问题，可以广泛的应用在高分子材料领域中。本发明改性方法工艺简单，设备要求低，操作控制方便，易于实现工业化生产，无需特殊设备。

主权项

一种合成多孔硅酸钙粉体的改性方法，其特征在于：所述改性方法按以下步骤进行，A合成多孔硅酸钙粉体的干燥将合成多孔硅酸钙粉体放入高速混合机中进行旋转干燥，干燥温度为120‑140℃，干燥20‑180min后得到含水率低于2%的合成多孔硅酸钙粉体；B合成多孔硅酸钙粉体成核能力的减弱和抗氧性能的提高将经A步骤得到的含水率低于2%的合成多孔硅酸钙粉体按如下质量百分比：混配，置于高速混合机中混合，混合温度为80℃，处理1h后得到成核能力减弱和抗氧性能提高的合成多孔硅酸钙粉体；C合成多孔硅酸钙粉体表面的硅烷偶联剂改性将经B步骤处理后得到的合成多孔硅酸钙粉体，按如下质量百分比：合成多孔硅酸钙粉体  98‑99.5%硅烷偶联剂          0.5‑2%；混配，置于高速混合机中改性，改性温度为90℃‑130℃，改性5‑30min后得到表面改性合成多孔硅酸钙粉体；D表面改性合成多孔硅酸钙粉体的表面自组装将经C步骤得到的表面改性合成多孔硅酸钙粉体按如下质量百分比：表面改性合成多孔硅酸钙粉体  96‑99%钛酸酯偶联剂                0.5‑2%铝酸酯偶联剂                0.5‑2%；混配，置于高速混合机中自组装，自组装温度为110‑120℃，自组装5‑30min后将表面自组装钛酸酯偶联剂和铝酸酯偶联剂的表面改性合成多孔硅酸钙粉体温度降低至80‑100℃，完成表面改性合成多孔硅酸钙粉体的一次表面自组装，然后再向完成一次表面自组装合成硅酸钙粉体中加入质量百分比为0.5‑2%的稀土偶联剂HY‑041进行二次自组装，二次自组装5‑15min后得到表面自组装合成多孔硅酸钙粉体；E表面自组装合成多孔硅酸钙粉体的润滑改性将经D步骤得到的表面自组装合成多孔硅酸钙粉体按如下质量百分比：表面自组装合成多孔硅酸钙粉体  98‑99.5%润滑剂                        0.5‑2%；混配，置于高速混合机中润滑改性，润滑改性温度为80℃，润滑改性5‑15min后得到合成多孔硅酸钙改性粉体。