[发明专利]用在HK/MG程序流程的P型半导体装置有效
| 申请号： | 201410097064.8 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104051339B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | P·扎沃卡;J·福尔;R·里克特;J·亨治尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本揭露涉及用在HK/MG程序流程的P型半导体装置，提供在半导体衬底内具有第一PMOS主动区及第二PMOS主动区的半导体装置结构。硅锗信道层仅形成在第二PMOS主动区上方。栅极电极形成在第一与第二PMOS主动区上方，其中第二PMOS主动区上方的栅极电极形成在硅锗信道上方。 | ||
| 搜索关键词： | hk mg 程序 流程 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种形成半导体装置结构的方法，其包含：在半导体衬底中提供第一PMOS主动区及第二PMOS主动区；在该第一PMOS主动区上方形成第一掩模图样；根据该第一掩模图样在该第二PMOS主动区上方形成硅锗层；移除该第一掩模图样；在该第一与第二PMOS主动区上方形成栅极电极结构；在该栅极电极结构形成后，在该第一PMOS主动区上方形成第二掩模图样；进行具有第一光晕注入剂量的第一注入程序以在该第二PMOS主动区中形成光晕区；移除该第二掩模图样；在该第二PMOS主动区上方形成第三掩模图样；以及进行具有第二光晕注入剂量的第二注入程序以在该第一PMOS主动区中形成轻度掺杂的光晕区，该第二光晕注入剂量实质小于该第一光晕注入剂量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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