[发明专利]多异质结纳米颗粒、其制备方法以及包含该纳米颗粒的制品有效
| 申请号： | 201410097333.0 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104277852B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | M·沈;N·吴;Y·翟;S·南;P·特雷福纳斯;K·德什潘德;J·朱 | 申请（专利权）人： | 伊利诺斯大学科技管理办公室;罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;H01L51/54;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 江磊 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体纳米颗粒，其包含具有第一端部和第二端部的一维半导体纳米颗粒、与所述第一端部或所述第二端部中的一个端部接触的第一端盖、以及与所述第一端盖接触的第二端盖；其中所述第一端盖包含第一半导体，并且所述第一端盖从所述一维纳米颗粒延伸，形成了第一纳米晶体异质结；其中所述第二端盖包含第二半导体，并且所述第二端盖从所述第一端盖延伸，形成了第二纳米晶体异质结；其中所述第一半导体不同于所述第二半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 多异质结 纳米 颗粒 制备 方法 以及 包含 制品 | ||
【主权项】：
一种半导体纳米颗粒，其包括：具有第一端部和第二端部的一维半导体纳米颗粒、与所述第一端部或所述第二端部中的一个端部接触的第一端盖、以及与所述第一端盖接触的第二端盖；其中所述第一端盖包含第一半导体，并且所述第一端盖从所述一维纳米颗粒延伸，形成了第一纳米晶体异质结；其中所述第二端盖包含第二半导体，并且所述第二端盖从所述第一端盖延伸，形成了第二纳米晶体异质结；其中所述第一半导体不同于所述第二半导体；所述第一端盖与所述一维半导体纳米颗粒的第一端部和第二端部接触；所述第一端盖和第二端盖设置在各端部；所述一维半导体纳米颗粒的纵横比大于或等于2。
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