[发明专利]改善闪存高温氧化处理的方法在审
| 申请号： | 201410097591.9 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103839893A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李占斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善闪存高温氧化处理的方法，包括：将晶圆从用于放置和传输晶圆盒的设备传递至炉体内的反应腔体；将炉体连接至气体集成系统，并且利用导管将炉体连接至与气体集成系统相连的抽真空泵；在炉体内的反应腔体对晶圆执行高温氧化处理，其中气体集成系统用于控制反应腔体内的工艺气体，并且其中开启抽真空泵以便在高温氧化处理的过程中对炉体进行抽真空。在根据本发明的改善闪存高温氧化处理的方法中，通过外加真空排气功能减少环境中氯离子的残留，有效地改善闪存产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 闪存 高温 氧化 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种改善闪存高温氧化处理的方法，其特征在于包括：第一步骤：将晶圆从用于放置和传输晶圆盒的设备传递至炉体内的反应腔体；第二步骤：将炉体连接至气体集成系统，并且利用金属管将炉体连接至与气体集成系统相连的抽真空泵；第三步骤：在炉体内的反应腔体对晶圆执行高温氧化处理，其中气体集成系统用于控制反应腔体内的工艺气体，并且其中开启抽真空泵以便在高温氧化处理的过程中对炉体进行抽真空。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
