[发明专利]形成高密度电容器结构的方法以及电容器结构无效
申请号: | 201410097615.0 | 申请日: | 2014-03-17 |
公开(公告)号: | CN103839779A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 黎坡 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L23/64 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种形成高密度电容器结构的方法以及电容器结构。在衬底上形成由单个或多个叠层构成的层叠结构,每个叠层包括依次布置的第一介电层、第一电极、第二介电层和第二电极;对四个侧面进行刻蚀;将所述四个侧面中的一个侧面进行各向同性刻蚀,以便将第一电极进行部分刻蚀;将另一个侧面进行各向同性刻蚀,以便对第二电极进行部分刻蚀;在一个侧面和所述另一个侧面上生长介质层,所述介质层填充了对第一电极进行部分刻蚀所留出的空间以及对第二电极进行部分刻蚀所留出的空间;部分去除所述介质层,仅留下对第一电极进行部分刻蚀所留出的空间中的介质及对第二电极进行部分刻蚀所留出的空间中的介质;在所述一个侧面和所述另一个侧面上分别形成电容电极。 | ||
搜索关键词: | 形成 高密度 电容器 结构 方法 以及 | ||
【主权项】:
一种形成高密度电容器结构的方法,其特征在于包括:第一步骤:在衬底上形成由单个或多个叠层构成的层叠结构,其中所述单个或多个叠层中的每个叠层都包括依次布置的第一介电层、第一电极、第二介电层和第二电极;第二步骤:将衬底上的层叠结构中的除了与衬底直接接触的第一介电层之外的其它层的与衬底表面垂直的四个侧面进行刻蚀;第三步骤:针对第一电极,将所述四个侧面中的一个侧面进行各向同性刻蚀,以便将第一电极进行部分刻蚀;第四步骤:针对第二电极,将所述四个侧面中的与所述一个侧面相对的另一个侧面进行各向同性刻蚀,以便对第二电极进行部分刻蚀;第五步骤:在所述一个侧面和所述另一个侧面上生长介质层,所述介质层填充了对第一电极进行部分刻蚀所留出的空间以及对第二电极进行部分刻蚀所留出的空间;第六步骤:部分去除所述介质层,并仅仅留下对第一电极进行部分刻蚀所留出的空间中的介质以及对第二电极进行部分刻蚀所留出的空间中的介质;第七步骤:在部分去除所述介质层之后的所述一个侧面和所述另一个侧面上分别形成电容电极,其中电容电极通过与衬底直接接触的第一介电层与衬底隔开。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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