[发明专利]氟掺杂信道硅锗层有效
| 申请号： | 201410097863.5 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104051506B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | N·萨赛特;R·严;J·亨治尔;S·Y·翁 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L21/336;H01L21/22 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 新加坡，*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氟掺杂信道硅锗层，其中，所揭示的是用于在信道硅锗(cSiGe)层具有改良型接口粗糙度的P型信道金属氧化物半导体场效晶体管(PMOSFET)的形成方法以及所产生的装置。具体实施例可包括在衬底中指定作为信道区的区域，在所指定信道区之上形成信道硅锗层，以及将氟直接植入到信道硅锗层内。具体实施例或可包括将氟植入到硅衬底中被指定为信道区的区域内，在所指定信道区之上形成信道硅锗层，以及加热硅衬底和信道硅锗层以将氟扩散到信道硅锗层内。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 信道 硅锗层 | ||
【主权项】：
一种形成半导体装置的方法，包含：在衬底中指定作为P型信道区的区域；在指定的该P型信道区之上形成厚度40到80埃的信道硅锗层；以及将氟直接植入到该信道硅锗层中。
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