[发明专利]一种石墨烯薄膜器件及其制备方法在审
申请号: | 201410097876.2 | 申请日: | 2014-03-17 |
公开(公告)号: | CN104923466A | 公开(公告)日: | 2015-09-23 |
发明(设计)人: | 刘建影;方雯;洪宇平 | 申请(专利权)人: | 上海大学;华为技术有限公司 |
主分类号: | B05D7/24 | 分类号: | B05D7/24;B05D1/32;B05D3/00 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种石墨烯薄膜器件,包括目标部件和附着在目标部件表面的石墨烯薄膜,石墨烯薄膜的厚度为0.34nm~4nm。该石墨烯薄膜器件具有优良的散热效果,能够满足大功率散热需求,满足高密度封装。本发明实施例还提供了该石墨烯薄膜器件的制备方法,通过将液相剥离法与半导体制备工艺有机结合,在目标部件表面制得石墨烯薄膜,制备过程操作简单,且不经历高温工艺,便于生产大尺寸薄膜,适合量产,制备得到的石墨烯薄膜厚度可控、形状可控,石墨烯薄膜能与目标部件表面紧密结合,解决了现有技术中界面散热材料散热效果不佳、尤其是不能满足高密度系统封装的大功率器件散热需求的问题,为高功率电子器件散热提供了良好基础。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 薄膜 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯薄膜器件,其特征在于,包括目标部件和附着在所述目标部件表面的石墨烯薄膜,所述石墨烯薄膜的厚度为0.34nm~4nm。
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