[发明专利]一种提高晶圆间键合强度的方法在审
| 申请号： | 201410097889.X | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104934292A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 张先明;丁敬秀;陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高晶圆间键合强度的方法，包括：提供器件晶圆和支撑晶圆；在所述器件晶圆表面上依次形成等离子沉积氧化硅层和无定形硅层；执行激光退火步骤；进行化学机械平坦化步骤；执行热键合步骤。根据本发明的制造工艺在BSI器件晶圆键合面上采用激光退火方法对等离子沉积氧化硅层进行致密化处理，能有效避免器件晶圆热损伤缺陷的产生，生成氧化物层的致密性高，可提高晶圆间键合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 晶圆间键合 强度 方法 | ||
【主权项】：
一种提高晶圆间键合强度的方法，包括：提供器件晶圆和支撑晶圆；在所述器件晶圆表面上依次形成等离子沉积氧化硅层和无定形硅层；执行激光退火步骤；进行化学机械平坦化步骤；执行热键合步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
