[发明专利]自供电射频收发组件中硅基热电-光电集成微传感器有效
申请号: | 201410097924.8 | 申请日: | 2014-03-17 |
公开(公告)号: | CN103915458A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 廖小平;闫浩 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210096*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 自供电射频收发组件中硅基热电-光电集成微传感器放置在射频功率放大器的顶部,它是由几个相同传感器模块组成的阵列结构。其中每个传感器模块由许多组热电偶串联连接。传感器的热端放置在功率放大器热量集中的部位(散热板),而冷端远离热量集中的部分且紧靠金属外壳(热沉板),以达到冷热两端形成较大温差。基于Seebeck效应在传感器阵列上产生直流电压的输出,该直流电压对充电电池进行充电储能;在传感器的半导体热偶臂的顶部制作一个PN结,并构成电流通路正向有序排列,并在PN结上方的热沉板开孔以增加光照面积,形成可以收集光能的光电式微传感器。能够同时收集光能、热能的能量实现自供电。相比传统的收集单一能量的自供电传感器。 | ||
搜索关键词: | 供电 射频 收发 组件 中硅基 热电 光电 集成 传感器 | ||
【主权项】:
一种自供电射频收发组件中硅基热电‑光电集成微传感器,该微传感器放置在射频功率放大器的顶部,其特征是该集成微传感器由多个传感器(1)并列连接构成,传感器(1)由多个热电偶通过金属线(10)串联而成,而热电偶主要部分是N+多晶硅的半导体臂(11)和Al的金属臂(12)构成;采用掺杂的P型多晶硅构成半导体臂(11)和Al的金属臂(12)的顶部连接线(2),P型多晶硅构成的顶部连接线(2)与N型掺杂的多晶硅构成PN结(3),顶部连接线(2)与Al的金属臂(12)形成欧姆接触作为热电偶的冷端(4),半导体臂(11)与金属线(10)形成欧姆接触作为热电偶的热端(5),传感器(1)以硅衬底(6)为基底,中间的SiO2层(7)为隔热层用以防止收集到的热能向基底(6)传输,硅衬底(6)以下是导热板(9),上层覆盖热沉板(8),硅衬底(6)与SiO2层(7)同为支撑材料,起到支撑热沉板(8)的功能,导热板(9)下面接射频收发组件的散热板作为传感器的热端,热沉板(8)作为传感器的冷端,热沉板(8)表面光刻有圆形通孔用以通过光照,圆通孔间距相同其正下方为PN结(3)用以接收光能从而转换成电能,传感器外围辅以大电容及稳压电路(13),所获得的稳定直流电压,供给电路自身使用,实现了自供电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的