[发明专利]自供电射频收发组件中硅基热电-光电集成微传感器有效

专利信息
申请号: 201410097924.8 申请日: 2014-03-17
公开(公告)号: CN103915458A 公开(公告)日: 2014-07-09
发明(设计)人: 廖小平;闫浩 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 210096*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 自供电射频收发组件中硅基热电-光电集成微传感器放置在射频功率放大器的顶部,它是由几个相同传感器模块组成的阵列结构。其中每个传感器模块由许多组热电偶串联连接。传感器的热端放置在功率放大器热量集中的部位(散热板),而冷端远离热量集中的部分且紧靠金属外壳(热沉板),以达到冷热两端形成较大温差。基于Seebeck效应在传感器阵列上产生直流电压的输出,该直流电压对充电电池进行充电储能;在传感器的半导体热偶臂的顶部制作一个PN结,并构成电流通路正向有序排列,并在PN结上方的热沉板开孔以增加光照面积,形成可以收集光能的光电式微传感器。能够同时收集光能、热能的能量实现自供电。相比传统的收集单一能量的自供电传感器。
搜索关键词: 供电 射频 收发 组件 中硅基 热电 光电 集成 传感器
【主权项】:
一种自供电射频收发组件中硅基热电‑光电集成微传感器,该微传感器放置在射频功率放大器的顶部,其特征是该集成微传感器由多个传感器(1)并列连接构成,传感器(1)由多个热电偶通过金属线(10)串联而成,而热电偶主要部分是N+多晶硅的半导体臂(11)和Al的金属臂(12)构成;采用掺杂的P型多晶硅构成半导体臂(11)和Al的金属臂(12)的顶部连接线(2),P型多晶硅构成的顶部连接线(2)与N型掺杂的多晶硅构成PN结(3),顶部连接线(2)与Al的金属臂(12)形成欧姆接触作为热电偶的冷端(4),半导体臂(11)与金属线(10)形成欧姆接触作为热电偶的热端(5),传感器(1)以硅衬底(6)为基底,中间的SiO2层(7)为隔热层用以防止收集到的热能向基底(6)传输,硅衬底(6)以下是导热板(9),上层覆盖热沉板(8),硅衬底(6)与SiO2层(7)同为支撑材料,起到支撑热沉板(8)的功能,导热板(9)下面接射频收发组件的散热板作为传感器的热端,热沉板(8)作为传感器的冷端,热沉板(8)表面光刻有圆形通孔用以通过光照,圆通孔间距相同其正下方为PN结(3)用以接收光能从而转换成电能,传感器外围辅以大电容及稳压电路(13),所获得的稳定直流电压,供给电路自身使用,实现了自供电。
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