[发明专利]多异质结纳米颗粒、其制备方法以及包含该纳米颗粒的制品有效
| 申请号： | 201410098085.1 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104046359B8 | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | M·沈;N·吴;Y·翟;S·南;P·特雷福纳斯;K·德什潘德;J·朱 | 申请（专利权）人： | 伊利诺斯大学科技管理办公室;罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;H01L51/54;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 江磊 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体纳米颗粒，其包括具有第一端部和第二端部的一维半导体纳米颗粒、包含第一半导体的第一结点、以及包含第二半导体的第二结点；其中，所述第二端部与所述第一端部相反；其中所述第一结点与所述一维半导体纳米颗粒的径向表面相接触，在接触的位点处形成第一异质结；其中所述第二结点与所述一维半导体纳米颗粒的径向表面相接触，在接触的位点处形成第二异质结；其中所述第一异质结组成上不同于所述第二异质结。 | ||
| 搜索关键词： | 多异质结 纳米 颗粒 制备 方法 以及 包含 制品 | ||
【主权项】：
一种半导体纳米颗粒，其包括：具有第一端部和第二端部的一维纳米颗粒，其中所述第二端部与所述第一端部相反；位于所述第一端部和所述第二端部中各端部的第一端盖，其中所述第一端盖包含第一半导体；位于所述第一端部和所述第二端部中各端部的第二端盖，其中所述第二端盖包含第二半导体，并且部分地或完全地包围所述第一端部和所述第二端部中各端部的第一端盖；其中所述第一端盖各自在所述第一端部和所述第二端部接触所述一维纳米颗粒的表面，在各接触的位点处形成第一异质结；其中所述第一端部的第二端盖在所述第一端部接触所述第一端盖的表面，在接触的位点处形成第二异质结，并且所述第二端部的第二端盖在所述第二端部接触所述第一端盖的表面，在接触的位点处形成第二异质结；其中所述第一异质结组成上不同于所述第二异质结。
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