[发明专利]自供电射频收发组件中砷化镓基热电-光电微传感器有效
申请号: | 201410098094.0 | 申请日: | 2014-03-17 |
公开(公告)号: | CN103915459A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 廖小平;闫浩 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210096*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 自供电射频收发组件中砷化镓基热电-光电微传感器由几个相同传感器模块组成的阵列结构。其中每个传感器模块由许多组热电偶串联连接。传感器的热端放置在功率放大器热量集中的部位(散热板),而冷端远离热量集中的部分且紧靠金属外壳(热沉板),以达到冷热两端形成较大温差。基于Seebeck效应在传感器阵列结构上产生直流电压的输出,该直流电压对充电电池进行充电储能;在传感器的半导体热偶臂的顶部制作一个PN结,并构成电流通路正向有序排列,并在PN结上方的热沉板开孔以增加光照面积,形成可以收集光能的光电式微传感器。能够同时收集光能、热能的能量实现自供电,相比传统的收集单一能量的自供电传感器,本发明体积更小,供电能力大大提高。同时,射频收发组件工作中散发的热量得到了有效吸收,增强了其散热性能。 | ||
搜索关键词: | 供电 射频 收发 组件 中砷化镓基 热电 光电 传感器 | ||
【主权项】:
一种自供电射频收发组件中砷化镓基热电‑光电微传感器,该微传感器放置在射频功率放大器的顶部,其特征是该微传感器由多个传感器(1)并列连接构成,传感器(1)由多个热电偶通过金属线(9)串联而成,而热电偶主要部分是N型砷化镓的半导体臂(10)和Au的金属臂(11)构成,采用重掺杂的P型砷化镓构成半导体臂(10)和Au金属臂(11)的顶部连接线(2),P型砷化镓构成的连接线(2)与N+掺杂的砷化镓构成PN结(3),连接线(2)与Au金属臂(11)形成欧姆接触作为热电偶的冷端(4),半导体臂(10)与金属线(9)形成欧姆接触作为热电偶的热端(5),传感器(1)以砷化镓衬底(6)为基底,砷化镓衬底(6)以下是导热板(8),上层覆盖热沉板(7),砷化镓衬底(6)为支撑材料,起到支撑热沉板(7)的功能,导热板(8)下面接射频收发组件的散热板作为传感器的热端,热沉板(7)作为传感器的冷端,热沉板(7)表面光刻有圆形通孔用以通过光照,圆刑通孔间距相同其正下方为PN结(3)用以接收光能从而转换成电能,传感器外围辅以大电容及稳压电路(12),所获得的稳定直流电压,供给电路自身使用,实现了自供电。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410098094.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的