[发明专利]具有局部绝缘结构的半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410098110.6 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104934321A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 詹景琳;林正基;连士进;吴锡垣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/762;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有局部绝缘结构的半导体元件及其制造方法，该半导体元件的制造方法包括：提供一具有一第一导电型的基板；形成一具有一第二导电型的高电压阱在基板中；形成一漂移区在高电压阱中；以及形成一绝缘层在基板上。此一绝缘层包括一第一绝缘部及一第二绝缘部，其分别覆盖漂移区相对的边缘部分，且未覆盖漂移区的一顶部。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 局部 绝缘 结构 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体元件的方法，包括：提供一具有一第一导电型的基板；形成一具有一第二导电型的高电压阱在该基板中；形成一漂移区在该高电压阱中；以及形成一绝缘层在该基板上，该绝缘层包括一第一绝缘部及一第二绝缘部，该第一绝缘部及该第二绝缘部分别覆盖该漂移区相对的边缘部分，且未覆盖该漂移区的一顶部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
