[发明专利]半导体材料晶片的抛光方法有效
| 申请号： | 201410098303.1 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104064455B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | J·施万德纳 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 彭丽丹,过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及抛光至少一个半导体材料晶片的方法，所述方法以所指定的顺序包括，用硬质抛光垫对至少一个半导体材料晶片的正面和背面进行第一同时双面抛光，边缘凹口抛光，用更软的抛光垫对至少一个半导体材料晶片的正面和背面进行第二同时双面抛光，和对正面进行最后的单面镜面抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 晶片 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种在提供抛光剂下抛光至少一个半导体材料晶片的方法，所述方法以所指定的顺序包括以下步骤：a)用第一抛光垫对正面和背面进行第一同时双面抛光，其中所述第一抛光垫包括用于第一同时双面抛光的上抛光垫和下抛光垫，b)边缘凹口抛光，c)用第二抛光垫对正面和背面进行第二同时双面抛光，其中所述第二抛光垫包括用于第二同时双面抛光的上抛光垫和下抛光垫，和d)对正面进行单面抛光，其中用于所述第一同时双面抛光的上抛光垫和下抛光垫比用于所述第二同时双面抛光的上抛光垫和下抛光垫更硬且更不可压缩，其中用于所述第二同时双面抛光的抛光剂不含强碱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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