[发明专利]监测IPD衬底阻值的结构在审
| 申请号： | 201410098500.3 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103871923A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 黎坡 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种监测IPD衬底阻值的结构包括多个芯片单元和至少一个电感，芯片单元之间形成横向及竖向切割道，电感同时形成于横向及竖向切割道上，并包围芯片单元，与芯片单元电学隔离。利用横向和竖向切割道形成电感，使电感包围芯片单元，能够在不增加切割道面积及影响客户产品的情况下，增加电感所包围的面积，从而提高形成电感的Q值，进而提高IPD衬底阻值的监控精度。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 ipd 衬底 阻值 结构 | ||
【主权项】：
一种监测IPD衬底阻值的结构，包括多个芯片单元和至少一个电感，其中，所述芯片单元之间形成横向及竖向切割道，电感同时形成于所述横向及竖向切割道上，所述电感包围所述芯片单元，并与所述芯片单元电学隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
