[发明专利]具有气隙的层间介质层的形成方法

摘要

本发明提出了一种具有气隙的层间介质层的形成方法，在对具有气隙的第一介质层进行研磨之后，在第一介质层表面形成第二介质层，由于第二介质层能够形成于暴露出的气隙之上，后续对第二介质层进行研磨只去除部分第二介质层时，第二介质层始终覆盖气隙，后续继续形成金属层时，能够避免金属层渗入至气隙中，从而保证了由第一介质层和第二介质层组成的层间介质层的K值，同时能够通过控制形成第一介质层的厚度以及对其的化学机械研磨程度来控制形成的气隙高度、位置以及大小。

主权项

一种具有气隙的层间介质层的形成方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有至少一层具有气隙的第一介质层；对所述具有气隙的第一介质层进行化学机械研磨处理，去除部分第一介质层并暴露出一部分气隙；在所述第一介质层的表面形成第二介质层；对所述第二介质层进行化学机械研磨处理，去除部分第二介质层。