[发明专利]栅极及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201410098617.1 申请日: 2014-03-17
公开(公告)号: CN104934468B 公开(公告)日: 2018-07-20
发明(设计)人: 三重野文健 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;H01L21/28
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴贵明;张永明
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请公开了一种栅极及其制作方法。该栅极至少包括非晶态的栅极金属层,其中非晶态的栅极金属层为非晶态金属合金材料层或非晶态金属化合物材料层,非晶态金属合金材料层由包括至少两种金属元素的非晶态物质形成;非晶态金属化合物材料层由包括至少一种金属元素和至少一种选自ⅢA主族、ⅣA主族、和ⅤA主族中的非金属元素的非晶态物质形成。由于上述非晶态的栅极金属层的原子呈无规则、均匀分布,不存在晶粒及晶界,因此非晶态的栅极金属层中能够引起载流子发生复合的缺陷很少,使得栅极中载流子的迁移率得到增加,且载流子能够均匀分布,进而改善了栅极中阈值电压分布不均匀的问题。
搜索关键词: 栅极金属层 非晶态 载流子 主族 非晶态金属合金 化合物材料层 非晶态金属 非晶态物质 金属元素 材料层 阈值电压分布 非金属元素 晶粒 不均匀 迁移率 无规则 晶界 制作 复合 申请
【主权项】:
1.一种栅极,其特征在于,所述栅极至少包括非晶态的栅极金属层,所述非晶态的栅极金属层为非晶态金属合金材料层或非晶态金属化合物材料层,所述非晶态金属合金材料层由包括至少两种金属元素的非晶态物质形成;所述非晶态金属化合物材料层由包括至少一种金属元素和至少一种选自ⅢA主族、ⅣA主族、和ⅤA主族中的非金属元素的非晶态物质形成;所述非晶态物质中至少含有三种原子,且不同的原子之间的原子半径之差≥10%。
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