[发明专利]一种低漏电流半导体薄膜异质结及其制备方法在审
| 申请号： | 201410098676.9 | 申请日： | 2014-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103872100A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 黄文;杨骏珏;曾慧中;高关胤;郝建华 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L21/04 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种低漏电流半导体薄膜异质结及其制备方法，属于材料技术领域。该低漏电流半导体薄膜异质结是在GaAs基片上沉积铌掺杂的钛酸锶作为缓冲层，然后在缓冲层上沉积铁电氧化物薄膜，形成铁电氧化物/NSTO缓冲层/GaAs基底异质结薄膜结构，其中缓冲层NSTO和铁电氧化物薄膜均采用激光脉冲沉积法制备。本发明制得的薄膜异质结有较低的界面态密度，良好的整流特性，较低的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 漏电 半导体 薄膜 异质结 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低漏电流半导体薄膜异质结，包括GaAs基底（3），沉积于GaAs基底（3）上的缓冲层（2）和沉积在缓冲层（2）上的铁电氧化物薄膜（1），其特征在于，所述缓冲层（2）为Nb掺杂的SrTiO3。
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