[发明专利]形成半导体装置的栅极电极的方法、半导体装置用的栅极电极结构及相符的半导体装置结构无效
| 申请号： | 201410098991.1 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104078341A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | R·严;J·亨治尔;A·扎;N·萨赛特;M·特伦茨施;C·格拉斯 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及用于形成半导体装置的栅极电极的方法、半导体装置用的栅极电极结构及相符的半导体装置结构，其中，本揭露提供半导体装置用栅极电极结构的一些态样。在本文的一些描述性具体实施例中，栅极电极结构包含位于半导体衬底的第一主动区上方的第一高k介电层、以及位于所述第一介电层上的第二高k介电层。所述第一高k介电层具有金属物种加入其内，用于调整所述第一高k介电层的功函数。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 装置 栅极 电极 方法 结构 相符 | ||
【主权项】：
一种形成半导体装置的栅极电极用的方法，该方法包含：在半导体衬底的第一主动区上方形成第一高k介电层；在该第一高k介电层上形成第一含金属材料；进行第一退火程序；移除该第一含金属材料以供曝露该第一高k介电层；以及于进行该第一退火程序后，在该第一介电层上形成第二高k介电层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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