[发明专利]一种金属层图形化方法有效
| 申请号： | 201410100060.0 | 申请日： | 2014-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN104934293B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 郭亮良;刘煊杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属层图形化方法，其特征在于，该方法包括以下步骤提供一上表面设有图形化硬掩膜层的投影晶圆，刻蚀所述投影晶圆，直到形成穿过所述投影晶圆上下表面的通孔为止，并且使得所述投影晶圆表面没有形成通孔的区域不被刻蚀；提供一器件晶圆，将含有所述图形通孔的投影晶圆的下表面键合于所述器件晶圆的上表面，形成一键合结构；在所述键合结构的上表面沉积一金属层；将所述投影晶圆与所述器件晶圆剥离，形成上表面具有图形化金属层的器件晶圆。本发明的金属层图形化方法使得在晶圆表面形成图形化金属层的过程中省略光刻胶的剥离过程，同时金属层图形化可以在高温下进行，步骤简单且极大的节约了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种金属层图形化方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)提供一上表面设有图形化硬掩膜层的投影晶圆，刻蚀所述图形化硬掩膜层与投影晶圆，直到形成穿过所述投影晶圆上下表面的通孔为止，并且使得所述投影晶圆表面未形成通孔的区域不被刻蚀；(2)提供一器件晶圆，将含有所述通孔的投影晶圆的下表面键合于所述器件晶圆的上表面，形成一键合结构；(3)在所述键合结构的上表面沉积一金属层；(4)将所述投影晶圆与所述器件晶圆剥离，形成上表面具有图形化金属层的器件晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
