[发明专利]一种制备抗PID薄膜的方法在审
| 申请号： | 201410100441.9 | 申请日： | 2014-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103943718A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 闫用用;张惠;张亮;苗青;李积伟 | 申请（专利权）人： | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 225131 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备抗PID薄膜的方法，含以下步骤：选取晶体硅片，经制绒和扩散后，在晶体硅片的受光面上依次生成氧化硅和氮化硅双层膜或氮氧化硅和氮化硅双层膜，其中氧化硅膜采用紫外线光敏氧化或者PECVD的方式沉积，氮化硅或氮氧化硅采用PECVD的方式沉积，位于底层的氧化硅或氮氧化硅对杂质离子具有阻挡作用且钝化效果好，结合位于顶层的氮化硅薄膜，能减少太阳能电池片光电转换效率的损失且能增强太阳能电池片的抗PID性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 pid 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备抗PID薄膜的方法，其特征是含以下步骤：选取晶体硅片，经制绒和扩散后，在晶体硅片的受光面上依次生成氧化硅和氮化硅双层膜或氮氧化硅和氮化硅双层膜，其中氧化硅膜采用紫外线光敏氧化或PECVD的方式沉积，氮化硅或氮氧化硅采用PECVD的方式沉积，位于底层的氧化硅或氮氧化硅对杂质离子具有阻挡作用且钝化效果好，结合位于顶层的氮化硅薄膜，能减少太阳能电池片光电转换效率的损失且能增强太阳能电池片的抗PID性能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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