[发明专利]高压晶闸管及设计工艺方法有效
| 申请号： | 201410100472.4 | 申请日： | 2014-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN104934305B | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 陶崇勃;刘朋 | 申请（专利权）人： | 西安永电电气有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 710016 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压晶闸管及设计工艺方法，其中所述设计工艺方法包括如下步骤S1.提供待扩散的浓度为6×1015cm‑3～9×1015cm‑3的铝源，将所述铝源加入到SiO2乳胶中，在80～90h内，通过SiO2乳胶源扩散的方式，使铝源在N型衬底上进行第一次扩散；S2.在第一次扩散基础上，提供待扩散的浓度为2.5×1018cm‑3～3×1018cm‑3的硼源，将所述硼源加入到SiO2乳胶中，在8～10h内，通过SiO2乳胶源扩散的方式，使硼源在第一次扩散形成的P型层上进行第二次扩散。由本发明的设计工艺方法制造的晶闸管阻断电压高，可靠性高，有效地减小了将若干个晶闸管相串联的装置的体积。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 晶闸管 设计 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种高压晶闸管的设计工艺方法，其特征在于，所述高压晶闸管的设计工艺方法包括如下步骤：S1.提供待扩散的浓度为6×1015cm‑3～9×1015cm‑3的铝源，所述铝源为高纯硝酸铝，将所述铝源加入到SiO2乳胶中，在80～90h内，通过SiO2乳胶源扩散的方式，使铝源在N型衬底上进行第一次扩散，第一次扩散过程中，控制结深为150～160μm，表面浓度为80～100mV；S2.在第一次扩散基础上，提供待扩散的浓度为2.5×1018cm‑3～3×1018cm‑3的硼源，将所述硼源加入到SiO2乳胶中，在8～10h内，通过SiO2乳胶源扩散的方式，使硼源在第一次扩散形成的P型层上进行第二次扩散，第二次扩散过程中，控制结深为28～32μm，表面浓度为8～10mV。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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