[发明专利]一种绝缘体上应变薄膜结构及调节应变薄膜应力的方法

摘要

本发明提供一种绝缘体上应变薄膜结构，包括半导体衬底、形成于所述半导体衬底上的埋氧层及形成于所述埋氧层上的顶层应变半导体层；所述顶层应变半导体层中形成有预设图形微结构；所述微结构包括一主体及分布于所述主体边缘的至少两条桥线；所述微结构下方的埋氧层被挖空，所述微结构处于悬空状态；所述桥线处于拉伸状态。本发明通过图形化在绝缘体上应变半导体层中形成预设图形微结构，并通过腐蚀去除微结构下方的埋氧层，使得微结构悬空，得到了悬浮条件下顶层应变半导体层的应力分布，从而改变顶层半导体层中微结构本身的固有应力，实现应力的调控。通过切断微结构的部分桥线，可以进一步增加应力，制备得到高质量、大应力的纳米应变薄膜。

主权项

一种调节绝缘体上应变薄膜应力的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一自上而下依次包括顶层应变半导体层、埋氧层及半导体衬底的半导体结构，刻蚀所述顶层应变半导体层以在其中形成预设图形微结构；所述微结构包括一主体及分布于所述主体边缘的四条桥线；四条桥线中，相对的两条桥线在一条直线上；S2：将所述微结构下方的埋氧层腐蚀掉以释放所述微结构，使得所述主体发生弛豫并对所述桥线产生拉向中心的力。