[发明专利]大电流高电压整流管及设计工艺方法

摘要

本发明公开了一种大电流高电压整流管及设计工艺方法,其中所述设计工艺方法包括如下步骤：S1.提供待扩散的硼源、铝源，将硼源和铝源于单晶硅上，在1250±5℃条件下置于反应器中进行第一次扩散，第一次扩散的扩散时间为54～58h，第一次扩散过程中使结深控制在140～155μm，表面浓度控制在0.08～0.1mV；S2.提供待扩散的磷源，利用载气携带磷源送入反应器中，进行第二次扩散，第二次扩散的扩散时间为4～6h，第二次扩散过程中使结深控制在17～22μm，表面浓度控制在0.15～0.25mV；S3.台面造型；S4.封装。通过本发明的设计工艺方法制造的整流管电流容量大，结构简单，成本较低，可靠性高，单只整流管的正向平均电流可以达到8kA。

主权项

1.一种大电流高电压整流管的设计工艺方法，其特征在于，所述设计工艺方法包括如下步骤：S1.提供待扩散的硼源、铝源，将硼源和铝源置于单晶硅上，在1250±5℃条件下置于反应器中进行第一次扩散，第一次扩散的扩散时间为54～58h，第一次扩散过程中使结深控制在140～155μm，表面浓度控制在0.08～0.1mV；S2.提供待扩散的磷源，利用载气携带磷源送入反应器中，进行第二次扩散，第二次扩散的扩散时间为4～6h，第二次扩散过程中使结深控制在17～22μm，表面浓度控制在0.15～0.25mV；S3.对管芯的台面进行造型，使管芯的台面形成双负斜角，并在形成双负斜角的台面上设置保护层，所述保护层包括依次设置于台面上的液相钝化层、有机硅漆层、硅橡胶层；S4.将经过台面造型的管芯以及钼片封装于管壳盖和管壳体之间，在管壳盖和管壳体之间的装配压力下，钼片与管芯之间实现紧密接触。