[发明专利]离子敏感场效应晶体管及其制备工艺有效
| 申请号： | 201410100698.4 | 申请日： | 2014-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103940885B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 吴东平;曾瑞雪;文宸宇;张世理 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管及其制备工艺。包含半导体衬底，栅绝缘层，通过掺杂形成的源极和漏极以及与所述源极和所述漏极掺杂类型相同的埋设沟道，埋设沟道位于半导体衬底内靠近上表面处，且埋设沟道与半导体衬底上表面不接触，源极和漏极分别位于埋设沟道两侧，栅绝缘层位于埋设沟道之上的半导体衬底上。与现有技术相比，本发明中当源极和漏极之间产生电流时，电流优先从埋设沟道流过，而不是从栅绝缘层与半导体衬底的接触界面通过，这样就避免了由于上述接触界面存在的表面缺陷而产生的测量电流的噪声，避免了因表面载流子散射降低器件的信噪比和离子测量的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 敏感 场效应 晶体管 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种离子敏感场效应晶体管，其特征在于，包含半导体衬底，栅绝缘层，通过掺杂形成的源极和漏极以及与所述源极和所述漏极掺杂类型相同的埋设沟道；所述埋设沟道位于所述半导体衬底内靠近上表面处，且所述埋设沟道与所述半导体衬底上表面不接触；所述源极和所述漏极分别位于所述埋设沟道两侧；所述栅绝缘层位于所述埋设沟道之上的所述半导体衬底上。
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