[发明专利]一种制作半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种制作半导体器件的方法，根据本发明的制作方法利用氧清除效应以改变界面层（IL）的物理厚度，该方法实现了在半导体衬底的不同区域形成不同厚度的介电层，所述介电层包括高K介电层和IL介电层，同时满足了调节不同电压器件的要求，提高半导体器件的整体性能，提高半导体的良品率。本发明的制作方法适用于平面场效应晶体管半导体技术和FinFET（鳍片场效应晶体管）半导体技术。

主权项

1.一种制作半导体器件的方法，包括：提供具有标准阈值电压区域、高阈值电压区域和低阈值电压区域的半导体衬底，所述标准阈值电压区域包括第一虚拟栅极，所述低阈值电压区域包括第二虚拟栅极，所述高阈值电压区域包括第三虚拟栅极；去除所述标准阈值电压区域中的所述第一虚拟栅极，去除所述低阈值电压区域中的所述第二虚拟栅极，去除所述高阈值电压区域中的所述第三虚拟栅极，以在所述标准阈值电压区域中形成第一沟槽，在所述低阈值电压区域中形成第二沟槽，在所述高阈值电压区域中形成第三沟槽；在所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述第三沟槽的底部及侧壁上依次沉积形成高K介电层和覆盖层，所述半导体衬底和所述高K介电层之间形成有界面层；去除所述高阈值电压区域中的所述覆盖层以露出所述高K介电层；对所述低阈值电压区域执行氧清除剂注入；执行退火步骤。