[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
申请号: | 201410100796.8 | 申请日: | 2014-03-18 |
公开(公告)号: | CN104064496B | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 林航之介;古矢正明;大田垣崇;长嶋裕次;木名瀬淳;安部正泰 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子装置股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供在基板的干燥时能够使表面上的液体瞬时干燥的基板处理装置和基板处理方法。在基板处理装置(10)中包括将通过加热机构(64)的加热作用在基板(W)的表面生成的挥发性溶剂的液珠吸引除去、对基板(W)的表面进行干燥的吸引干燥机构(65)。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其特征在于,包括:向以水平状态被工作台支承的基板的形成有图案的表面供给清洗液的清洗液供给部;向被供给有所述清洗液的所述基板的形成有图案的表面供给挥发性溶剂,将所述基板的形成有图案的表面上的所述清洗液置换为所述挥发性溶剂的溶剂供给部;对被供给有所述挥发性溶剂的所述基板进行加热的加热机构;和通过对所述挥发性溶剂进行吸引并且利用所述加热机构的加热作用将所述挥发性溶剂从所述基板的表面除去,从而对所述基板的表面进行干燥的吸引干燥机构,所述溶剂供给部将所述挥发性溶剂以液体的状态供给至所述基板的形成有图案的表面,所述加热机构包含向所述基板的形成有图案的面照射在500nm与3000nm之间的波长具有峰值强度的光的灯,所述吸引干燥机构具有溶剂吸引口,该溶剂吸引口是包围所述工作台的周围的呈环状的开口,通过所述加热机构,所述基板的形成有图案的表面被加热,从而在所述基板上生成所述挥发性溶剂的气层,所述气层推压液状的溶剂,使得所述液状的溶剂变化为液珠,所述液珠能够被所述溶剂吸引口吸引。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芝浦机械电子装置股份有限公司,未经芝浦机械电子装置股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410100796.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体工艺方法以及半导体结构
- 下一篇:检测半导体芯片背面金属层分离的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造