[发明专利]二元掩模铬金属膜去除方法在审
| 申请号： | 201410100820.8 | 申请日： | 2014-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103869607A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 尤春;王兴平;陈友篷 | 申请（专利权）人： | 无锡中微掩模电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/82 | 分类号： | G03F1/82 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二元掩模铬金属膜去除方法，其所述二元掩模铬金属膜去除方法包括如下步骤：a.在镀有铬金属膜的基板上涂布光刻胶层；b.利用光刻胶掩模板对上述光刻胶层进行图形化，以在所述光刻胶层上得到光刻胶掩模图形；c.利用光刻胶掩模板对光刻胶层的光刻胶掩模图形进行氧等离子体处理，以利用氧等离子体去除掩模图形内对应的有机物残留；d.去除上述光刻胶掩模板并利用光刻胶掩模图形作为保护层，对铬金属膜进行湿法刻蚀，以在铬金属膜上形成金属膜图形；e.去除上述光刻胶层。本发明工艺步骤简单，能对有机物残留进行有效去除，避免铬残留，提高二元掩模的成品率，降低加工成本，适应范围广，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 二元 掩模铬 金属膜 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种二元掩模铬金属膜去除方法，其特征是，所述二元掩模铬金属膜去除方法包括如下步骤：（a）、在镀有铬金属膜（2）的基板（1）上涂布光刻胶层（3）；（b）、利用光刻胶掩模板对上述光刻胶层（3）进行图形化，以在所述光刻胶层（3）上得到光刻胶掩模图形（4）；（c）、利用光刻胶掩模板对光刻胶层（3）的光刻胶掩模图形（4）进行氧等离子体处理，以利用氧等离子体去除掩模图形（4）内对应的有机物残留（5）；（d）、去除上述光刻胶掩模板并利用光刻胶掩模图形（4）作为保护层，对铬金属膜（2）进行湿法刻蚀，以在铬金属膜（2）上形成金属膜图形；（e）、去除上述光刻胶层（3）。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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