[发明专利]一种PVD系统工艺参数的优化方法有效
申请号: | 201410101122.X | 申请日: | 2014-03-18 |
公开(公告)号: | CN104928644B | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 陈怡骏;华宇;游宽结;吴秉寰;胡凯 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | C23C14/54 | 分类号: | C23C14/54;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人: | 董巍,高伟 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种PVD系统工艺参数的优化方法,所述方法包括根据预沉积薄膜的厚度,得到预沉积所述薄膜所需的总沉积时间;将所述总沉积时间分为若干步,每步沉积后有冷却步骤,组成了若干个沉积/冷却循环;根据所述薄膜沉积过程中的沉积温度的上升趋势,在所述沉积温度上升慢的步骤中设定较短的冷却时间,在所述沉积温度上升较快的步骤中设定较长的冷却时间。根据本发明的PVD系统工艺参数的优化方法,改善冷却效果,控制沉积薄膜由于温度高而引起的晶粒长大问题,改善WTW厚度控制,进而提高产品性能和良品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 pvd 系统 工艺 参数 优化 方法 | ||
【主权项】:
一种PVD系统工艺参数的优化方法,包括:根据预沉积薄膜的厚度,得到预沉积所述薄膜所需的总沉积时间;将所述总沉积时间分为若干步,每步沉积后有冷却步骤,组成了若干个沉积/冷却循环;根据所述薄膜沉积过程中的沉积温度的上升趋势,在所述沉积温度上升慢的步骤中设定较短的冷却时间,在所述沉积温度上升较快的步骤中设定较长的冷却时间。
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