[发明专利]一种阶梯式接触孔的成型方法有效
| 申请号： | 201410102239.X | 申请日： | 2014-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103871965B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 黄海;洪齐元 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种阶梯式接触孔的成型方法，包括，提供待刻蚀接触孔的半导体器件所述待刻蚀接触孔的半导体器件包括阶梯式刻蚀停止层，从阶梯的最底层到最顶层，阶梯式刻蚀停止层的厚度逐渐增加；刻蚀接触孔采用刻蚀的方法对待刻蚀接触孔的半导体器件进行接触孔刻蚀，所述每个接触孔的底部停止在与其相对应的阶梯式刻蚀停止层上。本发明从衬底最底层到衬底最顶层，刻蚀停止层的厚度逐级渐增加，保持刻蚀停止层的高刻蚀选择比的同时，依然能够保持接触孔的垂直形貌，两者得以兼顾。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阶梯 接触 成型 方法 | ||
【主权项】：
一种阶梯式接触孔的成型方法，其特征在于：包括，提供待刻蚀接触孔的半导体器件：所述待刻蚀接触孔的半导体器件包括阶梯式刻蚀停止层，从阶梯的最底层到最顶层，阶梯式刻蚀停止层的厚度逐渐增加；所述阶梯式刻蚀停止层的结构为：多层介质层和多层刻蚀停止层依次相间淀积在一起，构成介质层和刻蚀停止层依次相间的结构；刻蚀接触孔：采用刻蚀的方法对待刻蚀接触孔的半导体器件进行接触孔刻蚀，每个接触孔的底部停止在与其相对应的阶梯式刻蚀停止层上；所述接触孔的深宽比的范围为10～80:1；阶梯式刻蚀停止层顶部最浅的接触孔的刻蚀停止层上留有一定的剩余量；阶梯式刻蚀停止层顶部最深的接触孔的形貌角度大于87度；刻蚀待刻蚀接触孔的半导体器件的方法为干法刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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