[发明专利]一种基于晶界改性的高矫顽力低镝/铽钕铁硼磁体有效
| 申请号： | 201410102515.2 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104934175B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 江西理工大学 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F7/02 |
| 代理公司： | 南昌佳诚专利事务所 36117 | 代理人： | 吕道锋 |
| 地址： | 341000 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高钕铁硼磁体内禀矫顽力的材料，其特征在于在原磁体基础上引入一定量的Ag元素位于晶界，且基本消除了Fe元素在晶界的析出，其具有比未经改进的合金具有更高的内禀矫顽力，并且在相同矫顽力的情形下所需镝（铽）的量更少，从而实现提高内禀矫顽力、降低镝（铽）元素用量的目的，可以满足对高内禀矫顽力、低成本、高使用温度磁体有需要的各种场合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 改性 矫顽力 钕铁硼 磁体 | ||
【主权项】：
1.一种基于晶界改性的高矫顽力低镝/铽钕铁硼磁体，其特征在于，该材料含有一定量的Ag，其通式为（M）Agx，其中M表示任何不含Ag的以R2Fe14B结构化合物为主相的钕铁硼磁体，R＝稀土，0<x<1.0 at.%；所述材料通过熔炼后制备成尺寸小于10μm颗粒，烧结后采用950℃+650℃的二级退火工艺来控制材料中的Ag元素分布在晶界和晶界处Fe元素含量低于10 at.%。
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