[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置无效
| 申请号： | 201410102775.X | 申请日： | 2014-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN104103508A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 金子裕一 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够降低接通电阻且实现抗折强度的提高的半导体装置的制造方法以及半导体装置。在第一工序中，在通过N＋型半导体基板以及N－型外延层形成的晶圆上形成半导体元件。还形成保护环以及保护膜。在第二工序中，通过背面研磨，将晶圆（N＋型半导体基板）的背面研磨成所期望的厚度并形成破碎面。在第三工序中，对晶圆（N＋型半导体基板）的破碎面的与保护环区域对应的区域进行激光退火。被进行了激光退火的激光退火区域的破碎面熔融而平坦化。在第四工序中，在晶圆（N＋型半导体基板）的背面形成背面金属电极。在第五工序中，进行切割而使半导体装置单片化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：在基板的第一面形成半导体元件部的步骤；在所述基板的与所述第一面对置的第二面实施研磨处理来形成破碎面的步骤；针对所述第二面的所述破碎面的规定位置进行除去破碎面处理的步骤；以及在所述第二面形成电极的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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