[发明专利]平衡正向压降和反向漏电流的肖特基二极管及制备方法有效

专利信息
申请号: 201410102875.2 申请日: 2014-03-19
公开(公告)号: CN103904133B 公开(公告)日: 2017-01-18
发明(设计)人: 陈世杰;黄晓橹;陈逸清 申请(专利权)人: 中航(重庆)微电子有限公司
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L29/417;H01L21/329;H01L21/28
代理公司: 上海申新律师事务所31272 代理人: 吴俊
地址: 400000 重庆市*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明涉及一种用于整流器的二极管分离器件,更确切的说,本发明旨在提供一种带有沟槽结构或者平面型的肖特基二极管半导体器件及制备方法。包括一个衬底和衬底之上的肖特基合金层,肖特基合金层包括由下至上依次覆盖在衬底上表面之上的肖特基势垒层、势垒调节层和金属阻挡层,可通过调整所述势垒调节层的厚度以及退火条件来调节肖特基合金层的势垒高度。
搜索关键词: 平衡 正向 反向 漏电 肖特基 二极管 制备 方法
【主权项】:
一种平衡正向压降和反向漏电流的肖特基二极管,其特征在于,包括:一衬底和衬底之上的肖特基合金层,肖特基合金层包括由下至上依次覆盖在衬底上表面之上的肖特基势垒层、势垒调节层和金属阻挡层,其中,肖特基合金层的势垒高度通过调整所述势垒调节层的厚度以及退火条件来调节;以及肖特基合金层是在先形成肖特基势垒层后对其实施第一次热处理,并在依次形成势垒调节层和金属阻挡层后对它们共同实施第二次热处理得到的,第一次热处理是快速热退火处理,第一次热处理的温度高于第二次热处理的温度但第一次热处理的时间短于第二次热处理的时间。
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