[发明专利]一种提高LED抗ESD能力的ITO薄膜的电子束蒸镀方法

摘要

本发明提出一种提高LED抗ESD能力的ITO薄膜的电子束蒸镀方法，主要从四个方面对蒸镀条件进行优化ITO蒸镀速率，真空度，通氧量，通氧位置。最底层ITO蒸镀采用较低速率、高真空、低通氧量、近源通氧位置，保证最底层ITO初始晶核细密，在晶核上生长ITO晶粒尺寸小，晶粒间无空隙，从而使晶体更加致密；中间层ITO采用较高蒸镀速率、低真空、较高通氧量、近源通氧位置，保证最底层ITO、中间层ITO及上层ITO的折射率有过渡；上层ITO蒸镀采用高速率、低真空、高通氧量、远源通氧位置，保证ITO薄膜的高透过率和高蒸镀效率。本发明无需对电子束蒸发台之外再添加其他设备，能得到抗ESD能力强的结构致密、与氮化镓接触良好的ITO薄膜，方法简单、设备成本低、生产效率高，适合规模化量产。

主权项

一种提高LED抗ESD能力的ITO薄膜的电子束蒸镀方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在LED外延片表面先蒸镀最底层ITO，其蒸镀速率厚度为蒸镀腔体内真空度5x10‑5‑7x10‑5Torr，通氧量5‑10sccm，通氧位置为近源位置，即氧气入口距离蒸发源5‑10cm；(2)在步骤(1)所述最底层ITO表面蒸镀中间层ITO，蒸镀速率厚度为真空度7x10‑5‑8x10‑5Torr，通氧量8‑15sccm，通氧位置为近源位置，即氧气入口距离蒸发源5‑10cm；(3)在步骤(2)所述中间层ITO表面蒸镀上层ITO，蒸镀速率厚度为真空度8x10‑5‑1.0x10‑4Torr，通氧量10‑20sccm，高通氧量位置，即氧气入口在蒸镀腔体的最顶端。