[发明专利]一种利用激光退火改善热键合质量的方法有效
| 申请号： | 201410103443.3 | 申请日： | 2014-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN104925740B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 刘尧;陈福成;施林波;何作鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种利用激光退火改善热键合质量的方法，包括步骤一、提供器件晶圆；步骤二、在所述器件晶圆表面形成低温氧化物层；步骤三、激光照射所述低温氧化物层；步骤四、重复所述步骤三，直到全部低温氧化物层经过所述激光处理。根据本发明的利用激光处理器件晶圆表面低温氧化物层的方法，能有效避免器件热损伤缺陷的产生，处理后氧化物的致密度高，表面粗糙度低，可显著改善热键合质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 激光 退火 改善 热键 质量 方法 | ||
【主权项】：
一种利用激光退火改善热键合质量的方法，包括：步骤一、提供器件晶圆；步骤二、在所述器件晶圆表面形成低温氧化物层；步骤三、激光照射所述低温氧化物层；步骤四、重复所述步骤三，直到全部低温氧化物层经过所述激光处理，以降低所述低温氧化物层的表面粗糙度并提高其致密度；之后，进行热键合工艺，以将所述器件晶圆和其他晶圆互连。
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