[发明专利]互连层的制作方法及半导体器件的制作方法

摘要

本申请公开了一种互连层的制作方法及半导体器件的制作方法。其中互连层的制作方法包括：提供衬底；在衬底上依次形成介质层、硬掩膜层、无氮介电抗反射涂层和光刻胶层；光刻光刻胶，形成第一开口；沿第一开口向下刻蚀无氮介电抗反射涂层、硬掩膜层和介质层，形成贯穿介质层的通孔；去除剩余光刻胶层、无氮介电抗反射涂层和硬掩膜层；填充通孔以形成金属层。该制作方法中，在硬掩膜层和光刻胶层之间形成了无氮介电抗反射涂层，该无氮介电抗反射涂层不会与光刻胶反应，避免了由于因光刻胶变形引起的介质层缺陷。在后续的光刻及刻蚀过程中，该无氮介电抗反射涂层能降低光刻过程中硬掩膜和介质层受到损害，进而降低硬掩膜和介质层所受到的损害。

主权项

一种互连层的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成介质层、硬掩膜层、无氮介电抗反射涂层和光刻胶层；光刻所述光刻胶层，形成第一开口；沿第一开口向下刻蚀所述无氮介电抗反射涂层、所述硬掩膜层和所述介质层，形成贯穿所述介质层的通孔；去除剩余的所述光刻胶层、所述无氮介电抗反射涂层和所述硬掩膜层；填充所述通孔以形成金属层。