[发明专利]一种大直径超薄石英晶片的生产工艺

摘要

本发明属于石英晶片用具技术领域，尤其涉及一种大直径超薄石英晶片的生产工艺。本发明公开了一种大直径超薄石英晶片的生产工艺，其步骤如下：A：把石英晶坨用线剧切割；B：用双面研磨机加绿碳硅砂研磨；C：在晶片一个面上用匀胶机涂上保护漆；D：把晶片粘在光胶板；E：把上下粘有晶片的光胶板研磨；F：把双面研磨好的晶片用双面抛光机抛光；G：检验合格后放入晶片盒中。本发明保证了加工石英晶片的产品精度，实现了大直径超薄片的批量生产，提高了生产效率得到大直径石英晶片生产。

主权项

一种大直径超薄石英晶片的生产工艺，其特征在于，其步骤如下：A：把石英晶坨用线剧切割成厚度0.6mm‑0.8 mm的晶片，用自动倒角机倒成C型边，放入腐蚀液中腐蚀10‑13小时；B：用双面研磨机加绿碳硅砂研磨，研磨到厚度0.52‑0.55mm取出晶片，用超声波清洗干净；C：把双面研磨好的晶片用双面抛光机抛光，抛光粉的粒度为1‑3um，抛光时间为80‑100分钟，抛光后的晶片尺寸为0.45‑0.50mm，取出晶片用超声波清洗，用甩干机甩干，在晶片一个面上用匀胶机涂上保护漆；D：把清洗干净的光胶板放在自动粘片机上，滴上液体石蜡，然后用匀胶机把液体蜡均匀地涂在光胶板上，把石英晶片涂有保护漆的面粘在光胶板上，用同样的方法把晶片粘在光胶板的另外一个面上，然后冷却；E：把上下粘有晶片的光胶板清洗干净后放入双面研磨机中研磨，双面研磨机加绿碳硅砂研磨，研磨到单个晶片的厚度到0.12mm ‑0.15mm取出晶片，用超声波清洗干净；F：把双面研磨好的晶片用双面抛光机抛光，抛光粉的粒度为1‑3um，抛光时间为80‑100分钟，抛光后的晶片尺寸为0.08‑0.10mm,取出晶片用超声波清洗干净；G：把清洗干净的晶片和光胶板放在自动取片机中，取下晶片，然后放入去蜡水中清洗掉石蜡，然后用去离子水和无水乙醇清洗干净，检验合格后放入晶片盒中。