[发明专利]一种豇豆高产种植方法有效

专利信息
申请号: 201410104708.1 申请日: 2014-03-20
公开(公告)号: CN103918530A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 晋传生 申请(专利权)人: 芜湖晋诚农业科技有限公司
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00;A01C1/00
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 刘跃
地址: 241100 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供一种豇豆高产种植方法,包括大棚种植、选择优良品种、育苗盘育苗、合理密植、打顶整枝、肥水管理、适时采收。本发明方法栽培豇豆,产量高,病虫害少,所生长出的嫩豆荚肉质肥厚脆嫩,Vc含量高。
搜索关键词: 一种 豇豆 高产 种植 方法
【主权项】:
一种豇豆高产种植方法,其特征在于,具体包括以下内容:(1)大棚种植;选择通风性好、调温调湿方便且保温效果高的高温日光大棚种植;(2)选择优良品种:选择早熟、抗病、高产、优质的品种如张塘二号豇豆、早生王豇豆、黑籽王豇豆等; (3) 采用基质穴盘育苗:在定植前18‑22天播种,育苗温度为25‑35℃,豇豆播前将种子放入0.1%高锰酸钾溶液中浸泡8‑10分钟,然后放入23‑25℃的温水中浸种3‑5小时,期间换水1‑2次,然后捞起,用清水冲洗干净后,再采用微波处理10‑15s后,即可播种, 先将穴盘内的基质浇足底水,水渗下后用基质薄撒一层,找平穴盘表面基质,而后将种子直播至穴盘孔穴中,播种后覆盖基质0.8 cm‑1.0cm,每穴孔播种2‑3粒种子,再在穴盘上覆盖1层地膜,出苗前保持温度28~33℃,出苗后适时通风降温,以免造成秧苗徒长,温度掌握在23~25℃为宜;其中,基质的配制方法为:首先按重量比为泥炭∶香菇渣∶蛭石=1∶1∶1的比例混合得到混合料; 按每1m3混合料中加50%多菌灵可湿性粉剂200g,中草药杀菌粉剂45g,同时加入氮磷钾三元复合肥1kg,200‑300g维生素C,混拌均匀,即得到基质; (4)定植:定植前先整地施足基肥,一般亩用优质有机肥5000~6000kg、硫酸钾75—100kg,过磷酸钙100—150kg,硼砂2kg、然后深耕24‑26厘米,耙平后建畦,起垄,要求垄面宽75‑85cm、沟宽35‑45cm、垄高35‑45cm,等到育苗期达到28天左右时,进行移栽定植,每垄定植2行、株距30cm、亩用苗3300‑3500株;(5)摘顶:定植后在30‑35℃的温度下,豇豆生长8‑12天开始摘顶;(6)引蔓和整枝  豇豆长到5~6片叶时开始搭架, 每株插入1根毛竹杆 ,杆高2~2.3m,插好后要及时人工辅助引蔓上架,最好选择晴天的午后进行,此时茎蔓较柔韧,不易在操作时被折断; 当豇豆植株长到9‑10叶时,长度为1.5米左右时要及时摘除顶心,当侧蔓上长出一叶时保留1叶上生长点及花穗再摘除顶心,一般第一花序坐稳果后施1次肥,以后每隔1周施1次,每亩施10~15kg氮钾复合肥,期间每采收2~3次,用1%~2%的尿素喷施叶面,可使叶片增厚、增色,延长采收期,有效提高结荚率;(7)病虫害防治; (8)适时采收。
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