[发明专利]一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管太赫兹探测器天线在审
| 申请号： | 201410105036.6 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103872461A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李建雄;李运祥;蒋昊林;陈晓宇;刘崇;袁文东 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | H01Q13/10 | 分类号： | H01Q13/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300160*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管(FET)太赫兹探测器天线，属于天线领域。本发明包括T型开槽的半圆形微带贴片(Patch)天线；Si基FET，低噪声放大器；其中半圆形微带贴片天线用于接收THz波，同时把接收到的THz波转化为电信号给FET，FET把高频信号转化为低频信号给低噪声放大器，信号经过低噪声放大器后最终能实现对THz信号的探测。本发明在安保扫描、射电天文、生物遥感、生产监控等领域具有重要应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 cmos 制造 工艺 si 场效应 晶体管 赫兹 探测器 天线 | ||
【主权项】：
一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管(FET)太赫兹探测器天线，该天线为开槽的半圆形贴片天线，其特征是：该半圆形贴片天线上T型开槽，同时引出端口1和端口2；端口1和端口2分别与对应的两个FET的栅极相连，同时在两个FET的共源极上加上偏压V2，以提高探测器的灵敏度；半圆形贴片天线外加偏压V1，以激活FET工作的阈值电压；太赫兹(THz)信号通过天线接收后，通过FET将高频信号转换为低频信号给低噪声放大器；FET通过50欧姆的微带传输线(TL1和TL2)与低噪声放大器相连，这样易于实现输入输出端口的阻抗匹配；低噪声放大器将信号放大，最终能实现对THz信号的探测；半圆形贴片天线与FET结合后制成焦平面阵列，可以实现灵敏度和分辨率更高的THz成像系统。
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