[发明专利]薄膜晶体管阵列衬底、其制造方法以及包括薄膜晶体管阵列衬底的有机发光显示装置

摘要

薄膜晶体管(“TFT”)阵列衬底，其包括：TFT，其包括活性层、栅电极、源电极、漏电极、布置在活性层与栅电极之间的第一绝缘层、以及布置在栅电极与源电极和漏电极之间的第二绝缘层；包含透明导电氧化物并且布置在限定于第二绝缘层中的开口中的像素电极；电容器，其包括布置在布置有活性层的层上的第一电极、以及布置在其上布置有栅电极的层上的第二电极；布置在第二绝缘层并且包含与源电极和漏电极的材料基本相同的材料的焊盘电极；布置在焊盘电极上的第一保护层；以及布置在第一保护层上的第二保护层。

主权项

薄膜晶体管阵列衬底，其包括：薄膜晶体管，其包括：活性层；布置在所述活性层上的栅电极；与所述活性层的源区连接的源电极；与所述活性层的漏区连接的漏电极；布置在所述活性层与所述栅电极之间的第一绝缘层；以及布置在所述栅电极与所述源电极之间以及在所述栅电极与所述漏电极之间的第二绝缘层；布置在限定于所述第二绝缘层中的开口中的像素电极，其中所述像素电极包含透明导电氧化物；以及电容器，其包括：布置在其上布置有所述活性层的层上的第一电极；以及布置在其上布置有所述栅电极的层上的第二电极；布置在所述第二绝缘层上的焊盘电极，其中所述焊盘电极包含与所述源电极和所述漏电极的材料基本相同的材料；布置在所述焊盘电极上的第一保护层；以及布置在所述第一保护层上的第二保护层。