[发明专利]沟槽式功率金氧半场效晶体管与其制造方法有效
| 申请号： | 201410105142.4 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104934471B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 许修文 | 申请（专利权）人： | 帅群微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽式功率金氧半场效晶体管与其制造方法，沟槽式功率金氧半场效晶体管的栅极包括一上掺杂区与一下掺杂区，而形成一PN结(PN junction)。如此，当沟槽式功率金氧半场效晶体管工作时，PN结所形成的接面电容可和栅极/漏极之间的电容串联，而使栅极/漏极的等效电容降低。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 半场 晶体管 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽式功率金氧半场效晶体管，其特征在于，包括：一基材；一磊晶层，形成于该基材上方；以及多个沟槽式晶体管单元，形成于该磊晶层中，其中各该沟槽式晶体管单元包括一沟槽栅极结构，该沟槽栅极结构包括：一沟槽，形成于该磊晶层中，该沟槽的内侧壁形成有一绝缘层；以及一栅极，形成于该沟槽内，其中该栅极包括一上掺杂区与一下掺杂区，以形成一PN结；其中该绝缘层包括一上绝缘层与一下绝缘层，该上绝缘层位于该下绝缘层上方，其中该下绝缘层的厚度大于该上绝缘层的厚度，且该下掺杂区由该沟槽的底部延伸至超过该下绝缘层的顶部。
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